No hay un día que pase sin que se dejen de conocer datos sobre el próximo Samsung Galaxy S7, un dispositivo que no verá la luz hasta el año que viene y que muy posiblemente será presentado durante el Mobile World Congress de febrero. Según informan desde SamMobile medio encargado en dar noticias bastante fiables sobre Samsung, el nuevo teléfono de la surcoreana dispondría de un puerto USB tipo C.

Este tipo de conexión, que integraría tecnología USB 3.0, compatible con las cargas rápidas, permitiría que pudiéramos pasar datos de una manera más veloz, así como cargar el terminal en menos tiempo. Sin embargo, no es el único dato que se ha dado a conocer.

El mismo medio también asegura que el Galaxy S7 volvería a incorporar una ranura para tarjetas MicroSD, una característica que fue eliminada en el Samsung Galaxy S6 y que trajo bastante críticas en su momento. Por su parte, los últimos rumores también dejaron algunos datos sobre la pantalla.

Al parecer, el nuevo buque insignia de los coreanos llegaría en dos tamaños diferentes (uno muy posiblemente de 5,7 pulgadas) que contarían con una resolución 4k. Igualmente la compañía prepararía hasta tres versiones diferentes del teléfono, que se distinguirían por el modelo de procesador. Samsung volvería a recurrir a un chip de Qualcomm para una de ellas.

Dado que su sucesor, el Snapdragon 820, tiene toda la pinta de funcionar perfectamente, Samsung no habría querido dejar de contar con él para su nueva gama alta. La versión en concreto que incluiría este SoC sería la que se comercializaría en China y Estados Unidos.

Samsung reservaría para su país natal y para otros mercados como el europeo una versión del Galaxy S7 con procesador Exynos 8890, más conocido como Exynos M1.

Dicho chip que se espera tenga una gran potencia, emplearía las CPU Mongoose de Samsung. La compañía también habría pensado en países emergentes como la India y estaría preparando un Galaxy S7 con procesador Exynos 7422, el que en un principio iba a alimentar al Samsung Galaxy Note 5.

Se trata de un modelo que tendría en su interior ocho núcleos fabricados con una tecnología de 14 nanómetros y que trabajaría a una frecuencia de 2,3 GHz. No se ha filtrado de momento nada relacionado con la memoria RAM, pero recientemente se publicó que Samsung ya estaba trabajando en la producción en masa de nuevos módulos DRAM de 12 Gb LPDDRA4.

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